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M29F080A90N3TR

更新时间： 2024-09-20 14:36:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 131K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29F080A90N3TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40针数：40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.24
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G40长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29F080A90N3TR 数据手册

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M29F080A  
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs by Byte typical  
44  
■ 16 UNIFORM 64 Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
1
– Embedded Byte Program algorithm  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
SO44 (M)  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
V
CC  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
20  
8
BLOCK  
A0-A19  
DQ0-DQ7  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: F1h  
W
M29F080A  
E
G
RB  
RP  
V
SS  
AI00501C  
April 2000  
1/21  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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