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M29F080A70M3TR

更新时间： 2024-11-04 14:36:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 131K
描述
1MX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

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M29F080A70M3TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SO-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.24
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：28.2 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.62 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：13.3 mmBase Number Matches：1

M29F080A70M3TR 数据手册

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M29F080A  
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs by Byte typical  
44  
■ 16 UNIFORM 64 Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
1
– Embedded Byte Program algorithm  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
SO44 (M)  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
V
CC  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
20  
8
BLOCK  
A0-A19  
DQ0-DQ7  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: F1h  
W
M29F080A  
E
G
RB  
RP  
V
SS  
AI00501C  
April 2000  
1/21  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F080A70M6T NUMONYX

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 		Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
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