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M29F040B90P6

更新时间： 2024-09-20 20:00:19

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	176K
描述
Flash, 512KX8, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M29F040B90P6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.36	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e3
长度：	41.91 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M29F040B90P6 数据手册

M29F040B

4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory

■ SINGLE 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8 µs per Byte typical

■ 8 UNIFORM 64 Kbytes MEMORY BLOCKS

PLCC32 (K)

TSOP32 (N)

8 x 20mm

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

PDIP32 (P)

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

Figure 1. Logic Diagram

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: E2h

A0-A18

DQ0-DQ7

M29F040B

AI02900

April 2002

1/21

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