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Datasheet > 存储 > 闪存> M29F040-120N3R
M29F040-120N3R PDF预览

M29F040-120N3R

更新时间： 2024-11-22 22:57:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
31页 234K
描述
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory

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M29F040-120N3R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.32Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：100000 ERASE/PROGRAM CYCLES; 20 YEARS DATA RETENTION; BLOCK ERASE; BYTE PROGRAMMABLE
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
反向引出线：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M29F040-120N3R 数据手册

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M29F040  
4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29F040 is replaced by the M29F040B  
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
ERASE TIME  
– Block: 1.0 sec typical  
– Chip: 2.5 sec typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
– Data Polling and Toggle bits Protocol for  
P/E.C. Status  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
MEMORY ERASE in BLOCKS  
– 8 Uniform Blocks of 64 KBytes each  
– Block Protection  
Figure 1. Logic Diagram  
– Multiblock Erase  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Read mode: 8mA typical (at 12MHz)  
– Stand-by mode: 25µA typical  
– Automatic Stand-by mode  
V
CC  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: E2h  
19  
8
A0-A18  
DQ0-DQ7  
W
E
M29F040  
Table 1. Signal Names  
G
A0-A18  
Address Inputs  
Data Input / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
E
V
SS  
AI01372  
G
Output Enable  
Write Enable  
Supply Voltage  
Ground  
W
VCC  
VSS  
November 1999  
1/31  
This is information on a product still in production but not recommended for new designs.  
1234567...31

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与M29F040-120N3R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F040-120N3TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
M29F040-120N5R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
M29F040-120N6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
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