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M29F010B120P3T PDF预览

M29F010B120P3T

更新时间： 2024-09-13 22:57:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 405K
描述
1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory

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M29F010B120P3T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.57
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T32长度：41.91 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M29F010B120P3T 数据手册

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M29F010B  
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 45 ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8 µs per Byte typical  
■ 8 UNIFORM 16 KBytes MEMORY BLOCKS  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
V
CC  
– Standby and Automatic Standby  
17  
8
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
A0-A16  
DQ0-DQ7  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
W
E
M29F010B  
G
– Device Code: 20h  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
V
SS  
AI02735  
September 2005  
1/20  
1234567...20

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与M29F010B120P3T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F010B120P6T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
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