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M29F002NT-120XK6TR

更新时间： 2024-02-29 13:30:34

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	199K
描述
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F002NT-120XK6TR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.36
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
启动块：	TOP	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.995 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.455 mm

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M29F002T, M29F002NT

M29F002B

2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory

5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,

ERASE and READ OPERATIONS

FASTACCESS TIME: 70ns

FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte

– Status Register bits

MEMORY BLOCKS

PLCC32 (K)

PDIP32 (P)

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameterand Main blocks

BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP32 (N)

8 x 20mm

LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-byand AutomaticStand-by

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

20 YEARSDATARETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

ELECTRONIC SIGNATURE

– ManufacturerCode: 20h

Figure 1. Logic Diagram

– Device Code, M29F002T: B0h

– Device Code, M29F002NT: B0h

– Device Code, M29F002B: 34h

A0-A17

DQ0-DQ7

DESCRIPTION

The M29F002 is a non-volatile memory that may

be erased electrically at the block or chiplevel and

programmed in-system on a Byte-by-Byte basis

usingonlyasingle5VV_CCsupply.ForProgramand

Erase operations the necessary high voltages are

generated internally. The device can also be pro-

grammed in standardprogrammers.

M29F002T

M29F002B

M29F002NT

(*) RPNC

The array matrix organisationallows each block to

be erased and reprogrammed without affecting

other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-

graming and erase on programming equipment,

and temporarily unprotected to make changes in

the application. Each block can be programmed

and erased over 100,000 cycles.

AI02078C

Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT

July 1998

1/29

12 3 4 5 6 7...29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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M29F002NT-120XP1	STMICROELECTRONICS	256KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	获取价格
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