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M29F002B-120XN6TR

更新时间： 2024-11-28 22:51:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
29页 199K
描述
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F002B-120XN6TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.19
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M29F002B-120XN6TR 数据手册

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M29F002T, M29F002NT  
M29F002B  
2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory  
5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 70ns  
FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
32  
– Status Register bits  
MEMORY BLOCKS  
1
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
V
CC  
– Device Code, M29F002T: B0h  
– Device Code, M29F002NT: B0h  
– Device Code, M29F002B: 34h  
18  
8
A0-A17  
DQ0-DQ7  
DESCRIPTION  
W
The M29F002 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte basis  
usingonlyasingle5VVCC supply.ForProgramand  
Erase operations the necessary high voltages are  
generated internally. The device can also be pro-  
grammed in standardprogrammers.  
M29F002T  
M29F002B  
M29F002NT  
E
G
(*) RPNC  
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
the application. Each block can be programmed  
and erased over 100,000 cycles.  
V
SS  
AI02078C  
Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT  
July 1998  
1/29  
1234567...29

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与M29F002B-120XN6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F002B-120XP1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120XP6 NUMONYX

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 		256KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M29F002B-120XP6TR STMICROELECTRONICS

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