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M29F002B-120K1TR

更新时间： 2024-11-28 22:51:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 199K
描述
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F002B-120K1TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.19最长访问时间：120 ns
其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.995 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.455 mm
Base Number Matches：1

M29F002B-120K1TR 数据手册

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M29F002T, M29F002NT  
M29F002B  
2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory  
5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 70ns  
FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
32  
– Status Register bits  
MEMORY BLOCKS  
1
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
V
CC  
– Device Code, M29F002T: B0h  
– Device Code, M29F002NT: B0h  
– Device Code, M29F002B: 34h  
18  
8
A0-A17  
DQ0-DQ7  
DESCRIPTION  
W
The M29F002 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte basis  
usingonlyasingle5VVCC supply.ForProgramand  
Erase operations the necessary high voltages are  
generated internally. The device can also be pro-  
grammed in standardprogrammers.  
M29F002T  
M29F002B  
M29F002NT  
E
G
(*) RPNC  
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
the application. Each block can be programmed  
and erased over 100,000 cycles.  
V
SS  
AI02078C  
Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT  
July 1998  
1/29  
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与M29F002B-120K1TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F002B-120K6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120N1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120P1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120P6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M29F002B-120P6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120XK1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F002B-120XN1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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