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Datasheet > 存储 > 闪存> M29DW640F70N1E
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M29DW640F70N1E

更新时间： 2024-11-23 05:01:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
74页 1481K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29DW640F70N1E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.22
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29DW640F70N1E 数据手册

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M29DW640F  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Page Read mode  
– Page Width 8 Words  
– Page Access 25, 30ns  
– Random Access 60, 70ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words / 8 Bytes at-a-time Program  
FBGA  
■ Memory blocks  
– Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
– Parameter Blocks (at both Top and Bottom)  
■ Dual operations  
– While Program or Erase in a group of  
banks (from 1 to 3), Read in any of the  
other banks  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code: 227Eh + 2202h + 2201  
■ ECOPACK® packages available  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
■ VPP/WP pin for Fast Program and Write Protect  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ Extended Memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
December 2007  
Rev 4  
1/74  
www.numonyx.com  
1
1234567...74

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW640F70N1F STMICROELECTRONICS

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