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M29DW640F70N1

更新时间： 2024-11-26 20:06:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
74页 556K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29DW640F70N1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.22最长访问时间：70 ns
其他特性：100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM/TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29DW640F70N1 数据手册

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M29DW640F  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Asynchronous Page Read mode  
– Page Width 8 Words  
– Page Access 25, 30ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
– Random Access 60, 70ns  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words / 8 Bytes at-a-time Program  
FBGA  
■ Memory blocks  
– Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
– Parameter Blocks (at both Top and Bottom)  
■ Dual operations  
– While Program or Erase in a group of  
banks (from 1 to 3), Read in any of the  
other banks  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code: 227Eh + 2202h + 2201  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
®
■ ECOPACK packages available  
■ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ Extended Memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
August 2006  
Rev 3  
1/74  
www.st.com  
1
1234567...74

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW640F70N1E NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640F70N1E STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29DW640F70N1F STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29DW640F70N1F NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640F70N1T STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29DW640F70N1T NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640F70N6 NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640F70N6 STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29DW640F70N6E NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640F70N6E STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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