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M29DW640D70ZA1T

更新时间： 2024-11-18 22:57:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
56页 948K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29DW640D70ZA1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数：63Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM/TOPJESD-30 代码：R-PBGA-B63
JESD-609代码：e0长度：11 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：63字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：7 mmBase Number Matches：1

M29DW640D70ZA1T 数据手册

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M29DW640D  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
–
VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase  
and Read  
–
VPP =12V for Fast Program (optional)  
■
ASYNCHRONOUS PAGE READ MODE  
–
–
–
Page Width 4 Words  
Page Access 25, 30ns  
Random Access 70, 90ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■
■
PROGRAMMING TIME  
–
–
10µs per Byte/Word typical  
4 Words / 8 Bytes at-a-time Program  
FBGA  
MEMORY BLOCKS  
–
Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit  
TFBGA63 (ZA)  
7 x 11mm  
–
Parameter Blocks (at both Top and  
Bottom)  
■
■
DUAL OPERATIONS  
–
While Program or Erase in a group of  
banks (from 1 to 3), Read in any of the  
other banks  
■
LOW POWER CONSUMPTION  
–
Standby and Automatic Standby  
■
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
PROGRAM/ ERASE SUSPEND and  
RESUME MODES  
–
Read from any Block during Program  
Suspend  
–
–
Manufacturer Code: 0020h  
Device Code: 227Eh + 2202h + 2201h  
–
Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
Faster Production/Batch Programming  
–
■
■
■
VPP/WP PIN for FAST PROGRAM and  
WRITE PROTECT  
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
COMMON FLASH INTERFACE  
–
64 bit Security Code  
■
EXTENDED MEMORY BLOCK  
–
Extra block used as security block or to  
store additional information  
December 2004  
1/56  
1234567...56

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与M29DW640D70ZA1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW640D70ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640D70ZA6E STMICROELECTRONICS

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