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M29DW640D70ZA1F

更新时间： 2024-11-18 22:57:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储
页数 文件大小 规格书
56页 948K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29DW640D70ZA1F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
针数：63Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：R-PBGA-B63JESD-609代码：e1
长度：11 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：63
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：7 mm
Base Number Matches：1

M29DW640D70ZA1F 数据手册

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M29DW640D  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
–
VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase  
and Read  
–
VPP =12V for Fast Program (optional)  
■
ASYNCHRONOUS PAGE READ MODE  
–
–
–
Page Width 4 Words  
Page Access 25, 30ns  
Random Access 70, 90ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■
■
PROGRAMMING TIME  
–
–
10µs per Byte/Word typical  
4 Words / 8 Bytes at-a-time Program  
FBGA  
MEMORY BLOCKS  
–
Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbit+24Mbit+24Mbit+8Mbit  
TFBGA63 (ZA)  
7 x 11mm  
–
Parameter Blocks (at both Top and  
Bottom)  
■
■
DUAL OPERATIONS  
–
While Program or Erase in a group of  
banks (from 1 to 3), Read in any of the  
other banks  
■
LOW POWER CONSUMPTION  
–
Standby and Automatic Standby  
■
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
PROGRAM/ ERASE SUSPEND and  
RESUME MODES  
–
Read from any Block during Program  
Suspend  
–
–
Manufacturer Code: 0020h  
Device Code: 227Eh + 2202h + 2201h  
–
Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
Faster Production/Batch Programming  
–
■
■
■
VPP/WP PIN for FAST PROGRAM and  
WRITE PROTECT  
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
COMMON FLASH INTERFACE  
–
64 bit Security Code  
■
EXTENDED MEMORY BLOCK  
–
Extra block used as security block or to  
store additional information  
December 2004  
1/56  
1234567...56

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW640D70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW640D70ZA6 STMICROELECTRONICS

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