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M29DW324DT90ZA1T

更新时间： 2024-11-19 20:15:15

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
50页	878K
描述
Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

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M29DW324DT90ZA1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.19
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	长度：	11 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	63	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

M29DW324DT90ZA1T 数据手册

M29DW324DT

M29DW324DB

32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

= 2.7V to 3.6V for Program, Erase

and Read

–

=12V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

–

10µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

Double Word/ Quadruple Byte Program

■

MEMORY BLOCKS

–

Dual Bank Memory Array: 16Mbit+16Mbit

Parameter Blocks (Top or Bottom

Location)

■

DUAL OPERATIONS

FBGA

–

Read in one bank while Program or Erase

in other

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TFBGA63 (ZA)

7 x 11mm

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

–

Faster Production/Batch Programming

/WP PIN for FAST PROGRAM and

■

FBGA

WRITE PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

TFBGA48 (ZE)

6 x 8mm

COMMON FLASH INTERFACE

–

64 bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29DW324DT: 225Ch

Bottom Device Code M29DW324DB:

225Dh

March 2004

1/50

12 3 4 5 6 7...50

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29DW324DT90ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZA6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
M29DW324DT90ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZA6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZA6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
M29DW324DT90ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZA6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
M29DW324DT90ZE1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZE1	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90ZE1E	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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