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M29DW324DT90N6F

更新时间： 2024-11-22 22:29:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
49页 764K
描述
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M29DW324DT90N6F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.15Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3/e6长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,63端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29DW324DT90N6F 数据手册

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M29DW324DT  
M29DW324DB  
32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
– Double Word/ Quadruple Byte Program  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 16Mbit+16Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)  
■ DUAL OPERATIONS  
FBGA  
– Read in one bank while Program or Erase in  
other  
TFBGA63 (ZA)  
7 x 11mm  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
FBGA  
■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE  
PP  
PROTECT  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8mm  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ EXTENDED MEMORY BLOCK  
– Extra block used as security block or to store  
additional information  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29DW324DT: 225Ch  
– Bottom Device Code M29DW324DB: 225Dh  
June 2003  
1/49  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW324DT90N6T NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW324DT90N6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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 		Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
M29DW324DT90ZA6 STMICROELECTRONICS

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