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M29DW323DT90ZE6E

更新时间： 2024-11-06 20:13:39

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
51页	881K
描述
Flash, 2MX16, 90ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48

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M29DW323DT90ZE6E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.15
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M29DW323DT90ZE6E 数据手册

M29DW323DT

M29DW323DB

32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

= 2.7V to 3.6V for Program, Erase

and Read

–

=12V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

–

10µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

Double Word/ Quadruple Byte Program

■

MEMORY BLOCKS

–

Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit

Parameter Blocks (Top or Bottom

Location)

■

DUAL OPERATIONS

FBGA

–

Read in one bank while Program or Erase

in other

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TFBGA63 (ZA)

7 x 11mm

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

–

Faster Production/Batch Programming

/WP PIN for FAST PROGRAM and

■

WRITE PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

FBGA

COMMON FLASH INTERFACE

TFBGA48 (ZE)

6 x 8mm

–

64 bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29DW323DT: 225Eh

Bottom Device Code M29DW323DB:

225Fh

March 2004

1/51

12 3 4 5 6 7...51

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M29DW324	STMICROELECTRONICS	获取价格	FLASH NOR HIGH DENSITY & CONSUMER
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