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M29DW323DB90ZE1F

更新时间： 2024-11-04 22:07:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 766K
描述
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M29DW323DB90ZE1F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.15Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：6 mm
Base Number Matches：1

M29DW323DB90ZE1F 数据手册

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M29DW323DT  
M29DW323DB  
32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
– Double Word/ Quadruple Byte Program  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)  
■ DUAL OPERATIONS  
FBGA  
– Read in one bank while Program or Erase in  
other  
TFBGA63 (ZA)  
7 x 11mm  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
FBGA  
■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE  
PP  
PROTECT  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8mm  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ EXTENDED MEMORY BLOCK  
– Extra block used as security block or to store  
additional information  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29DW323DT: 225Eh  
– Bottom Device Code M29DW323DB: 225Fh  
June 2003  
1/49  
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与M29DW323DB90ZE1F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW323DB90ZE1T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZE6 STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZE6E STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZE6F STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZE6T STMICROELECTRONICS

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M29DW323DT NUMONYX

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M29DW323DT70N1 NUMONYX

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M29DW323DT70N1E STMICROELECTRONICS

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