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M29DW323DB90N1F

更新时间： 2024-09-14 22:29:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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49页	766K
描述
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M29DW323DB90N1F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29DW323DB90N1F 数据手册

M29DW323DT

M29DW323DB

32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V =12V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 90ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

– Double Word/ Quadruple Byte Program

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)

■ DUAL OPERATIONS

FBGA

– Read in one bank while Program or Erase in

other

TFBGA63 (ZA)

7 x 11mm

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

FBGA

■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE

PROTECT

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

TFBGA48 (ZE)

6 x 8mm

MODE

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ EXTENDED MEMORY BLOCK

– Extra block used as security block or to store

additional information

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29DW323DT: 225Eh

– Bottom Device Code M29DW323DB: 225Fh

June 2003

1/49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29DW323DB90N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29DW323DB90N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZA1	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
M29DW323DB90ZA1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB90ZA1F	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63

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