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M29DW128G60NF6E

更新时间： 2024-10-26 03:11:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 254K
描述
128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory

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M29DW128G60NF6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20针数：56
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
Is Samacsys：N最长访问时间：60 ns
启动块：BOTTOM/TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,62端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：32K,128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

M29DW128G60NF6E 数据手册

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M29DW128G  
128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot)  
3 V supply Flash memory  
Data Brief  
Features  
■ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12 V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page width: 8 words  
TSOP56 (NF)  
14 x 20 mm  
– Page access: 25 ns  
– Random access: 60 ns  
■ Programming time  
BGA  
– 15 µs per byte/word (typical)  
– 32-word write buffer  
■ Erase verify  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■ Memory blocks  
– Quadruple bank memory array:  
16 Mbit+48 Mbit+48 Mbit+16 Mbit  
■ Low power consumption  
– Parameter blocks (at top and bottom)  
– Standby and automatic standby  
■ Dual operation  
■ Hardware block protection  
– While Program or Erase in one bank, Read  
in any of the other banks  
– VPP/WP pin for fast program and write  
protect of the four outermost parameter  
blocks  
■ Program/Erase Suspend and Resume modes  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Security features  
– Standard protection  
– Password protection  
– Additional block protection  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
■ Unlock Bypass Program  
■ Extended memory block  
– Faster production/batch programming  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Common Flash interface  
– 64 bit security code  
■ Electronic signature  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
– Manufacturer code: 0020h  
– Device code: 227Eh+2220h+2200h  
■ ECOPACK® packages available  
December 2007  
Rev 2  
1/11  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.numonyx.com  
1
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与M29DW128G60NF6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW128G60NF6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6F STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60ZA6E MICRON

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 		128Mb (8Mb x16), 3V, Multiple Bank, Page, Dual Boot, Parallel NOR Flash Memory
M29DW128G60ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60ZA6F STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G70NF6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G70NF6E NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-56

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