Datasheet > 存储 > 闪存> M29DW128F70ZA6F

M29DW128F70ZA6F

更新时间： 2024-10-25 22:24:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
93页	720K
描述
128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory

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M29DW128F70ZA6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TBGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	16,254
端子数量：	64	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA64,8X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：	8/16 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

M29DW128F70ZA6F 数据手册

M29DW128F

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)

3V Supply, Flash Memory

PRELIMINARY DATA

Features summary

■ Supply Voltage

– V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V_CCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output

– V_PP=12V for Fast Program (optional)

■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ

TSOP56 (NF)

14 x 20mm

– Page Width: 8 Words

– Page Access: 25, 30ns

BGA

– Random Access: 60, 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

TBGA64 (ZA)

10 x 13mm

– 4 Words / 8 Bytes Program

– 32-Word Write Buffer

■ ERASE VERIFY

■ MEMORY BLOCKS

■ HARDWARE BLOCK PROTECTION

– Quadruple Bank Memory Array:

16Mbit+48Mbit+48Mbit+16Mbit

– Parameter Blocks (at Top and Bottom)

– V_PP/WP Pin for fast program and write

protect of the four outermost parameter

blocks

■ DUAL OPERATIONS

■ SECURITY FEATURES

– Standard Protection

– Password Protection

– While Program or Erase in one bank, Read

in any of the other banks

■ PROGRAM/ ERASE SUSPEND and RESUME

■ EXTENDED MEMORY BLOCK

MODES

– Extra block used as security block or to

store additional information

– Read from any Block during Program

Suspend

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

– Device Code: 227Eh + 2220h + 2200h

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM

■ ECOPACK^®PACKAGES AVAILABLE

– Faster Production/Batch Programming

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

Rev 1.0

August 2005

1/93

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...93

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29DW128F70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory
M29DW128F70ZA6T	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29DW128G	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G60NF6E	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6F	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G60ZA6E	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory

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