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M29DW128F70ZA6

更新时间： 2024-10-25 22:24:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
93页 720K
描述
128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory

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M29DW128F70ZA6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, TBGA-64
针数：64Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.36Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e0长度：13 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：16,254端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29DW128F70ZA6 数据手册

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M29DW128F  
128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V Supply, Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
Features summary  
■ Supply Voltage  
– VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VCCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ  
TSOP56 (NF)  
14 x 20mm  
– Page Width: 8 Words  
– Page Access: 25, 30ns  
BGA  
– Random Access: 60, 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
– 32-Word Write Buffer  
■ ERASE VERIFY  
■ MEMORY BLOCKS  
■ HARDWARE BLOCK PROTECTION  
– Quadruple Bank Memory Array:  
16Mbit+48Mbit+48Mbit+16Mbit  
– Parameter Blocks (at Top and Bottom)  
– VPP/WP Pin for fast program and write  
protect of the four outermost parameter  
blocks  
■ DUAL OPERATIONS  
■ SECURITY FEATURES  
– Standard Protection  
– Password Protection  
– While Program or Erase in one bank, Read  
in any of the other banks  
■ PROGRAM/ ERASE SUSPEND and RESUME  
■ EXTENDED MEMORY BLOCK  
MODES  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
– Device Code: 227Eh + 2220h + 2200h  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
– Faster Production/Batch Programming  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
Rev 1.0  
August 2005  
1/93  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
1
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M29DW128F70ZA6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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M29W128GH70ZA6E MICRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW128F70ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory
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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G60NF6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
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