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M29DW128F70ZA1T

更新时间： 2024-10-26 05:01:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
94页 1791K
描述
128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

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M29DW128F70ZA1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40
针数：64Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.37最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
部门数/规模：16,254端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29DW128F70ZA1T 数据手册

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M29DW128F  
128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block)  
3V supply Flash memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
TSOP56 (NF)  
14 x 20mm  
– Page width: 8 Words  
– Page access: 25, 30ns  
– Random access: 60, 70ns  
BGA  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
TBGA64 (ZA)  
– 32-Word Write Buffer  
10 x 13mm  
■ Erase Verify  
■ Low power consumption  
■ Memory blocks  
– Standby and Automatic Standby  
– Quadruple Bank Memory Array:  
16Mbit+48Mbit+48Mbit+16Mbit  
■ Hardware Block Protection  
– Parameter Blocks (at Top and Bottom)  
– VPP/WP Pin for fast program and write  
protect of the four outermost parameter  
blocks  
■ Dual Operation  
– While Program or Erase in one bank, Read  
in any of the other banks  
■ Security features  
– Standard Protection  
– Password Protection  
■ Program/Erase Suspend and Resume modes  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
■ Extended Memory Block  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Unlock Bypass Program  
■ Electronic Signature  
– Faster Production/Batch Programming  
– Manufacturer Code: 0020h  
■ Common Flash Interface  
– Device Code: 227Eh + 2220h + 2200h  
■ ECOPACK® packages available  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
December 2007  
Rev 8  
1/94  
www.numonyx.com  
1
1234567...94

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与M29DW128F70ZA1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW128F70ZA6 NUMONYX

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 		128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29DW128F70ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory
M29DW128F70ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29DW128G NUMONYX

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 		128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory
M29DW128G60NF6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC

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