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M28W640ECT85N6E

更新时间： 2024-11-07 22:55:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		内存集成电路光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
55页	786K
描述
64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M28W640ECT85N6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.29	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,127	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3.3,3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M28W640ECT85N6E 数据手册

M28W640ECT

M28W640ECB

64 Mbit (4Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.65V to 3.6V for Input/Output

DDQ

FBGA

– V = 12V for fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns

■ PROGRAMMING TIME:

TFBGA48 (ZB)

6.39 x 10.5mm

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

■ BLOCK LOCKING

TSOP48 (N)

12 x 20mm

– All blocks locked at Power Up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

■ SECURITY

– 128 bit user Programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M28W640ECT: 8848h

– Bottom Device Code, M28W640ECB: 8849h

April 2003

1/55

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M28W640ECT85N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECT85ZB1	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECT85ZB1	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 85ns, PBGA48, 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M28W640ECT85ZB1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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