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M28W640ECT70N1S

更新时间： 2024-11-08 19:39:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 957K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M28W640ECT70N1S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.15
最长访问时间：70 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M28W640ECT70N1S 数据手册

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M28W640ECT  
M28W640ECB  
64 Mbit (4Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
–
–
–
V
V
V
= 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
FBGA  
= 12V for fast Program (optional)  
PP  
■
■
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME:  
–
–
–
10µs typical  
TFBGA48 (ZB)  
6.39 x 10.5mm  
Double Word Programming Option  
Quadruple Word Programming Option  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE  
MEMORY BLOCKS  
–
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
Main Blocks  
■
■
BLOCK LOCKING  
–
–
–
All blocks locked at Power Up  
Any combination of blocks can be locked  
WP for Block Lock-Down  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SECURITY  
–
–
128 bit user Programmable OTP cells  
64 bit unique device identifier  
■
■
■
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Top Device Code, M28W640ECT: 8848h  
Bottom Device Code, M28W640ECB:  
8849h  
February 2004  
1/54  
1234567...54

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28W640ECT70N1T STMICROELECTRONICS

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