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M28W640ECB70ZB6

更新时间： 2024-11-07 19:39:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
54页 957K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M28W640ECB70ZB6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA,
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.15最长访问时间：70 ns
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：10.5 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：6.39 mmBase Number Matches：1

M28W640ECB70ZB6 数据手册

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M28W640ECT  
M28W640ECB  
64 Mbit (4Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
–
–
–
V
V
V
= 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
FBGA  
= 12V for fast Program (optional)  
PP  
■
■
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME:  
–
–
–
10µs typical  
TFBGA48 (ZB)  
6.39 x 10.5mm  
Double Word Programming Option  
Quadruple Word Programming Option  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE  
MEMORY BLOCKS  
–
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
Main Blocks  
■
■
BLOCK LOCKING  
–
–
–
All blocks locked at Power Up  
Any combination of blocks can be locked  
WP for Block Lock-Down  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SECURITY  
–
–
128 bit user Programmable OTP cells  
64 bit unique device identifier  
■
■
■
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Top Device Code, M28W640ECT: 8848h  
Bottom Device Code, M28W640ECB:  
8849h  
February 2004  
1/54  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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