Datasheet > 存储 > 闪存> M28W640CT90ZB6

M28W640CT90ZB6

更新时间： 2024-11-07 13:10:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	393K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M28W640CT90ZB6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	10.5 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,127	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3,3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	6.39 mm	Base Number Matches：	1

M28W640CT90ZB6 数据手册

M28W640CT

M28W640CB

64 Mbit (4Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.65V to 3.3V for Input/Output

DDQ

FBGA

– V = 12V for fast Program (optional)

■ ACCESS TIME

– 3.0V to 3.6V: 80ns

TFBGA48 (ZB)

8 x 6 ball array

– 2.7V to 3.6V: 90ns

■ PROGRAMMING TIME:

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power Up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

■ SECURITY

– 128 bit user Programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One Parameter Block Permanently Lockable

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M28W640CT: 8848h

– Bottom Device Code, M28W640CB: 8849h

November 2001

1/54

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M28W640CT90ZB6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M28W640CT90ZB6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640C-ZBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECB	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECB10N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECB10N1	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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M28W640ECB10N1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W640ECB10N1S	STMICROELECTRONICS	获取价格	4MX16 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M28W640ECB10N1S	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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