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M28W440-120M1

更新时间： 2024-11-07 14:52:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	586K
描述
512KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

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M28W440-120M1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SO-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	16	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	28.2 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.62 mm
部门规模：	16K,8K,96K,128K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M28W440-120M1 数据手册

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