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M28W411-180N6

更新时间: 2024-09-18 19:13:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 1721K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC

M28W411-180N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:180 ns启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:40
字数:524288 words字数代码:512000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3 V
认证状态:Not Qualified部门规模:16K,8K,96K,128K
最大待机电流:0.0000012 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:NO
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

M28W411-180N6 数据手册

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