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M28W320ECT90ZB1T

更新时间: 2024-09-16 23:05:27
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
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53页 780K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M28W320ECT90ZB1T 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BGA
包装说明:6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47针数:47
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.21
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PBGA-B47长度:6.39 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:47字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
类型:NOR TYPE宽度:6.37 mm
Base Number Matches:1

M28W320ECT90ZB1T 数据手册

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M28W320ECT  
M28W320ECB  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
FBGA  
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME:  
– 10µs typical  
TFBGA47 (ZB)  
6.39 x 6.37mm  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
COMMON FLASH INTERFACE  
MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power Up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SECURITY  
– 128 bit user Programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W320ECT: 88BAh  
– Bottom Device Code, M28W320ECB: 88BBh  
April 2003  
1/53  

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IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX16,CMOS,BGA,47PIN,PLASTIC
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