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M28W320ECB85N1 PDF预览

M28W320ECB85N1

更新时间： 2024-11-12 23:05:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
53页 780K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M28W320ECB85N1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.16
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M28W320ECB85N1 数据手册

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M28W320ECT  
M28W320ECB  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
FBGA  
■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
■ PROGRAMMING TIME:  
– 10µs typical  
TFBGA47 (ZB)  
6.39 x 6.37mm  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power Up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ SECURITY  
– 128 bit user Programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
■ AUTOMATIC STAND-BY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W320ECT: 88BAh  
– Bottom Device Code, M28W320ECB: 88BBh  
April 2003  
1/53  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX16,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

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