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M28W320ECB70N1

更新时间： 2024-01-25 05:41:34

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
53页	780K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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技术参数
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M28W320ECB70N1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M28W320ECB70N1 数据手册

M28W320ECT

M28W320ECB

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.65V to 3.6V for Input/Output

DDQ

– V = 12V for fast Program (optional)

FBGA

■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns

■ PROGRAMMING TIME:

– 10µs typical

TFBGA47 (ZB)

6.39 x 6.37mm

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power Up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ SECURITY

– 128 bit user Programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M28W320ECT: 88BAh

– Bottom Device Code, M28W320ECB: 88BBh

April 2003

1/53

12 3 4 5 6 7...53

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