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M28W320BT85N6T

更新时间: 2024-11-18 21:18:31
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 294K
描述
Flash, 2MX16, 85ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M28W320BT85N6T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.16
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
JESD-30 代码:R-PDSO-G48长度:18.4 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M28W320BT85N6T 数据手册

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M28W320BT  
M28W320BB  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.3V for Input/Output  
DDQ  
FBGA  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
TFBGA47 (ZB)  
8 x 6 ball array  
– Double Word Programming Option  
COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
BLOCKS  
– WP for Block Protection  
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W320BT: 88BCh  
– Bottom Device Code, M28W320BB: 88BDh  
November 2001  
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