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M28W320BT70ZB1T

更新时间: 2024-11-17 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 300K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M28W320BT70ZB1T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47
针数:47Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.3Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:TOP BOOT BLOCK
启动块:TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B47JESD-609代码:e0
长度:10.5 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:8,63
端子数量:47字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA47,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3,3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm部门规模:4K,32K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:6.39 mm
Base Number Matches:1

M28W320BT70ZB1T 数据手册

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M28W320BT  
M28W320BB  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
FBGA  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
TFBGA47 (ZB)  
6.39 x 10.5mm  
– Double Word Programming Option  
COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
BLOCKS  
– WP for Block Protection  
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W320BT: 88BCh  
– Bottom Device Code, M28W320BB: 88BDh  
May 2002  
1/43  

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