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M28W320BB85ZB1T

更新时间: 2024-11-17 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 300K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M28W320BB85ZB1T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47
针数:47Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.3最长访问时间:85 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B47
JESD-609代码:e0长度:10.5 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:8,63端子数量:47
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA47,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3,3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
部门规模:4K,32K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:6.39 mmBase Number Matches:1

M28W320BB85ZB1T 数据手册

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M28W320BT  
M28W320BB  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply  
DD  
– V  
= 1.65V to 3.6V for Input/Output  
DDQ  
FBGA  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns  
PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
TFBGA47 (ZB)  
6.39 x 10.5mm  
– Double Word Programming Option  
COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
BLOCKS  
– WP for Block Protection  
AUTOMATIC STAND-BY MODE  
PROGRAM and ERASE SUSPEND  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M28W320BT: 88BCh  
– Bottom Device Code, M28W320BB: 88BDh  
May 2002  
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