是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-46 |
针数: | 46 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.16 | 最长访问时间: | 100 ns |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B46 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 6.39 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8,31 |
端子数量: | 46 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA46,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8/3.3,3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 4K,32K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 6.37 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
M28W160CB100ZB6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory | |
M28W160BT100ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M28W160ECT100ZB6F | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory | |
M28W160ECT100ZB6F | NUMONYX |
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M28W160ECT100ZB6S | NUMONYX |
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M28W160ECT100ZB6S | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory | |
M28W160ECT100ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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M28W160ECT100ZB6T | NUMONYX |
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M28W160ECT100ZB6U | NUMONYX |
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M28W160ECT100ZB6U | STMICROELECTRONICS |
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M28W160ECT70N1 | NUMONYX |
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16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory | |
M28W160ECT70N1 | STMICROELECTRONICS |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |