Datasheet > 存储 > 闪存> M28W160CB70N6

M28W160CB70N6

更新时间： 2024-10-01 05:27:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
50页	1027K
描述
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M28W160CB70N6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.08	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M28W160CB70N6 数据手册

M28W160CT

M28W160CB

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V_DD= 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V_DDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output

– V_PP= 12V for fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns

■ PROGRAMMING TIME:

FBGA

TFBGA46 (ZB)

6.39 x 6.37mm

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

■ BLOCK LOCKING

TSOP48 (N)

12 x 20mm

– All blocks locked at Power Up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

■ SECURITY

– 64 bit user Programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One Parameter Block Permanently Lockable

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

Table 1. Device Codes

Root Part Number

M28W160CT

M28W160CB

Device Code

88CEh

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

88CFh

■ ECOPACK^®PACKAGES AVAILABLE

January 2006

1/50

12 3 4 5 6 7...50

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M28W160CB70N6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
S29AL016J70TFI023	CYPRESS	功能相似	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48
AT49BV160C-70TI	ATMEL	功能相似	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory

与M28W160CB70N6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M28W160CB70N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6E	NUMONYX	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6E	MICRON	获取价格	16Mb (1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M28W160CB70N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6F	NUMONYX	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6F	MICRON	获取价格	16Mb (1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M28W160CB70N6S	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6S	NUMONYX	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB70N6T	NUMONYX	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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