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M28S-C-BP-HF PDF预览

M28S-C-BP-HF

更新时间： 2024-11-20 20:07:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 246K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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M28S-C-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.57Base Number Matches：1

M28S-C-BP-HF 数据手册

 浏览型号M28S-C-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M28S-B  
M28S-C  
M28S-D  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 1.0A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
TO-92  
•
Marking: M28S X  
A
E
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I C=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=0.1mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=0.1mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(V CB=40Vdc, IE=0)  
20  
40  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
6.0  
---  
---  
Adc  
C
1.0  
5.0  
0.1  
uAdc  
Vdc  
ICEO  
Collector Cutoff Current  
----  
---  
(VCE=20Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
uAdc  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
hFE-2  
h FE-3  
h FE-4  
V CE(sat)  
fT  
DC Current Gain  
(I C=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(I C=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(I C=300mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(I C=500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=600mAdc, I =20mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=10Vdc, IC=50mAdc, f=30MHz)  
290  
300  
300  
300  
---  
1000  
1000  
1000  
1000  
0.55  
---  
---  
---  
E
E
C
C
B
B
---  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
---  
DIMENSIONS  
Vdc  
MHz  
INCHES  
MM  
B
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
100  
CLASSIFICATION OF HFE  
Rank  
Range  
B
C
D
E
Straight Lead  
Bent Lead  
300-550  
500-700  
650-1000  
G
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28S-C-T92-B UTC

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 		暂无描述
M28S-C-T92-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.00125A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-
M28S-C-T92-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), NPN
M28SD UTC

获取价格

 		Transistor
M28S-D MCC

获取价格

 		NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
M28SD(TO-92) CJ

获取价格

 		暂无描述
M28S-D-A MCC

获取价格

 		暂无描述
M28S-D-B MCC

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 		暂无描述
M28SD-BP MCC

获取价格

 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
M28SG-AE3-R UTC

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 		Transistor

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