M28S-C

更新时间： 2024-11-20 11:03:59

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美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管
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2页	212K
描述
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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M28S-C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

M28S-C 数据手册

M28S-B

M28S-C

M28S-D

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.

Collector-current 1.0A

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Marking: M28S X

TO-92

•

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I _C=1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=0.1mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=0.1mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V _CB=40Vdc, I_E=0)

---

Vdc

6.0

---

Adc

1.0

5.0

0.1

uAdc

Vdc

I_CEO

Collector Cutoff Current

----

---

(V_CE=20Vdc, I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

uAdc

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE-1

h_FE-2

h _FE-3

h _FE-4

V _CE(sat)

f_T

DC Current Gain

(I _C=1.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

(I _C=100mAdc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

(I _C=300mAdc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

(I _C=500mAdc, V_CE=1.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=600mAdc, I =20mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=10Vdc, I_C=50mAdc, f=30MHz)

290

300

---

1000

0.55

---

DIMENSIONS

Vdc

MHz

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

100

.190

.590

.020

.160

.104

CLASSIFICATION OF HFE

Rank

Range

300-550

500-700

650-1000

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M28SC(SOT-23)	CJ	获取价格	Transistor
M28SC(TO-92)	CJ	获取价格	Transistor
M28S-C-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.00125A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT
M28S-C-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
M28S-C-AP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
M28S-C-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
M28SC-BP	MCC	获取价格	暂无描述
M28S-C-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
M28S-C-T92-B	UTC	获取价格	暂无描述
M28S-C-T92-K	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.00125A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-

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