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M28F512-12B1

更新时间: 2024-09-18 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 526K
描述
512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory

M28F512-12B1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:12 ns其他特性:10K ERASE/PROGRAM CYCLES
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:41.91 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M28F512-12B1 数据手册

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