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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 20页 | 717K |  |
| 描述 | ||
| 32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 120 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | 长度： | 13.995 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11.455 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28F410 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY |
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| M28F410-100M1 | STMICROELECTRONICS |
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M28F410-100M1 |
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| M28F410-100M1TR | STMICROELECTRONICS |
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512KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44 |
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| M28F410-100M3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
M28F410-100M3 |
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| M28F410-100M3TR | STMICROELECTRONICS |
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512KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44 |
|
| M28F410-100M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC |
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| M28F410-100N3 | STMICROELECTRONICS |
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IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC |
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| M28F410-100N3TR | STMICROELECTRONICS |
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512KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56 |
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| M28F410-100N6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC |
|
| M28F410-100N6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
512KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56 |
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