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M28F256-90B3TR

更新时间: 2024-09-15 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 717K
描述
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY

M28F256-90B3TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:41.91 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M28F256-90B3TR 数据手册

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