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M28F256-10C3TR

更新时间： 2024-11-29 22:55:59

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M28F256-10C3TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; 10000 ERASE/PROGRAM CYCLES	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.995 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.455 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M28F256-10C6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10F314	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M28F256-10XB112	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
M28F256-10XB113	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
M28F256-10XB1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XB312	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
M28F256-10XB3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XB6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XC113	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
M28F256-10XC1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY