是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M28F201-70XN6TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K1R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K1TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K3R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K3TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K6R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90K6TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90N1 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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M28F201-90N1R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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M28F201-90N1RTR | STMICROELECTRONICS |
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256KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
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