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M28256-90WMS1

更新时间： 2024-10-27 19:45:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 131K
描述
32KX8 EEPROM 3V, 90ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28

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M28256-90WMS1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, SO-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.83
最长访问时间：90 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
长度：17.9 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

M28256-90WMS1 数据手册

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M28256  
256 Kbit (32K x 8) Parallel EEPROM  
With Software Data Protection  
NOT FOR NEW DESIGN  
■ Fast Access Time:  
– 90 ns at V =5 V for M28256  
CC  
– 120 ns at V =3 V for M28256-W  
CC  
■ Single Supply Voltage:  
– 4.5 V to 5.5 V for M28256  
– 2.7 V to 3.6 V for M28256-W  
■ Low Power Consumption  
28  
1
■ Fast BYTE and PAGE WRITE (up to 64 Bytes)  
– 3 ms at V =4.5 V for M28256  
PLCC32 (KA)  
PDIP28 (BS)  
CC  
– 5 ms at V =2.7 V for M28256-W  
CC  
■ Enhanced Write Detection and Monitoring:  
– Data Polling  
– Toggle Bit  
28  
– Page Load Timer Status  
1
■ JEDEC Approved Bytewide Pin-Out  
■ Software Data Protection  
SO28 (MS)  
300 mil width  
TSOP28 (NS)  
8 x 13.4 mm  
■ 100,000 Erase/Write Cycles (minimum)  
■ 10 Year Data Retention (minimum)  
DESCRIPTION  
The M28256 and M28256-W devices consist of  
32K x 8 bits of low power, parallel EEPROM, fab-  
ricated with STMicroelectronics’ proprietary dou-  
ble polysilicon CMOS technology. The devices  
offer fast access time, with low power dissipation,  
Figure 1. Logic Diagram  
V
CC  
15  
8
Table 1. Signal Names  
A0-A14  
DQ0-DQ7  
A0-A14  
Address Input  
Data Input / Output  
Write Enable  
W
DQ0-DQ7  
M28256  
W
E
E
Chip Enable  
G
G
Output Enable  
Supply Voltage  
V
CC  
V
SS  
AI01885  
V
Ground  
SS  
April 2001  
1/20  
This is information on a product still in production but not recommended for new designs.  
1234567...20

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与M28256-90WMS1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28256-90WMS1T STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x8 Parallel EEPROM with Software Data Protection
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