5秒后页面跳转
M27C256B-80N6 PDF预览

M27C256B-80N6

更新时间: 2024-01-28 15:01:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 667K
描述
32KX8 OTPROM, 80ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28

M27C256B-80N6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM CARD内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

M27C256B-80N6 数据手册

 浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M27C256B-80N6的Datasheet PDF文件第7页 

与M27C256B-80N6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M27C256B-80N6TR STMICROELECTRONICS 256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

获取价格

M27C256B-80N6X STMICROELECTRONICS 256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

获取价格

M27C256B-80N7 STMICROELECTRONICS IC,EPROM,32KX8,CMOS,TSSOP,28PIN,PLASTIC

获取价格

M27C256B-80N7TR STMICROELECTRONICS 256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

获取价格

M27C256B-80N7X STMICROELECTRONICS 256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

获取价格

M27C256B-80XB1 STMICROELECTRONICS 32KX8 OTPROM, 80ns, PDIP28, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28

获取价格