是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.77 | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.71 mm |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27256-F6 | STMICROELECTRONICS |
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NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM | |
M2732 | KOA |
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Memory IC | |
M2732A | STMICROELECTRONICS |
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NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A | INTEL |
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32K (4K X 8) UV ERASABLE PROM | |
M2732A-20F1 | STMICROELECTRONICS |
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NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-20F6 | STMICROELECTRONICS |
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NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-25 | ROCHESTER |
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UVPROM, 4KX8, 250ns, HMOS, PACKAGE-24 | |
M2732A-25F1 | STMICROELECTRONICS |
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NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-25F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM | |
M2732A-2F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM |