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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.51 | 最长访问时间： | 170 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.71 mm |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M27256-20 | INTEL |
获取价格 |
256K(32K x 8) UV ERASABLE PROM |
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| M27256-20F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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| M27256-20F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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| M27256-25 | INTEL |
获取价格 |
256K(32K x 8) UV ERASABLE PROM |
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| M27256-25F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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| M27256-25F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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| M27256-2F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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| M27256-2F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
|
| M27256-35 | INTEL |
获取价格 |
256K(32K x 8) UV ERASABLE PROM |
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| M27256-3F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
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