是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.29 | 最长访问时间: | 450 ns |
其他特性: | 25V PROGRAMMING VOLTAGE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 31.75 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 25 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
M2716 | INTEL |
功能相似 |
16K (2K x 8) UV ERASABLE PROM | |
MBM2716 | FUJITSU |
功能相似 |
UV ERASABLE 16,384-BIT READ ONLY MEMORY |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M2716F6 | ATMEL |
获取价格 |
UVPROM, 2KX8, 450ns, NMOS, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24 | |
M2716F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 UVPROM, 450ns, CDIP24, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-24 | |
M2716M | INTEL |
获取价格 |
16K (2K x 8) UV ERASABLE PROM | |
M271-TR | ETC |
获取价格 |
Solid State Relay | |
M27256 | INTEL |
获取价格 |
256K(32K x 8) UV ERASABLE PROM | |
M27256 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL 2 WIDE 2 INPUT AND/OR INVERT GATE | |
M27256-1F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM | |
M27256-1F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM | |
M27256-20 | INTEL |
获取价格 |
256K(32K x 8) UV ERASABLE PROM | |
M27256-20F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |