是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | TERM PITCH-MIN |
最大时钟频率 (fCLK): | 75 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
长度: | 9.1 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.8 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 7.62 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M25PX80VMN3TG | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8 |
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M25PX80-VMN3TG | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80-VMN3TP | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80VMN6G | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8 |
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M25PX80-VMN6G | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80-VMN6P | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80-VMN6P | MICRON |
获取价格 |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripher |
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M25PX80-VMN6TG | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80-VMN6TP | NUMONYX |
获取价格 |
EEPROM, 1MX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 |
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M25PX80-VMN6TP | MICRON |
获取价格 |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripher |
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