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M25PX16-VMW6G

更新时间： 2024-09-25 18:30:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
61页 1363K
描述
EEPROM, 2MX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8

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M25PX16-VMW6G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.B.1HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67最大时钟频率 (fCLK)：75 MHz
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.5 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：5.62 mm最长写入周期时间 (tWC)：15 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

M25PX16-VMW6G 数据手册

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M25PX16  
16-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase,  
serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface  
Features  
„ SPI bus compatible serial interface  
„ 75 MHz (maximum) clock frequency  
„ 2.3 V to 3.6 V single supply voltage  
„ Dual input/output instructions resulting in an  
VFQFPN8 (MP)  
6 × 5 mm  
equivalent clock frequency of 150 MHz:  
– Dual Output Fast Read instruction  
– Dual Input Fast Program instruction  
„ 16 Mbit Flash memory  
– Uniform 4-Kbyte subsectors  
– Uniform 64-Kbyte sectors  
SO8W (MW)  
208 mils  
„ Additional 64-byte user-lockable, one-time  
programmable (OTP) area  
„ Erase capability  
– Subsector (4-Kbyte) granularity  
– Sector (64-Kbyte) granularity  
– Bulk Erase (16 Mbit) in 15 s (typical)  
„ Write protections  
– Software write protection applicable to  
every 64-Kbyte sector (volatile lock bit)  
SO8 (MN)  
150 mils  
– Hardware write protection: protected area  
size defined by three non-volatile bits (BP0,  
BP1 and BP2)  
„ Deep Power-down mode: 5 μA (typical)  
„ Electronic signature  
– JEDEC standard two-byte signature  
(7115h)  
– Unique ID code (UID) with16 bytes read-  
only, available upon customer request  
„ More than 100 000 write cycles per sector  
„ More than 20 year data retention  
„ Packages  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
October 2008  
Rev 3  
1/61  
www.numonyx.com  
1
1234567...61

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与M25PX16-VMW6G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M25PX16-VMW6TG MICRON

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 		Micron M25PX16 Serial Flash Embedded Memory
M25PX16-VZM6P MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25PX16-VZM6TP MICRON

获取价格

 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25PX32 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interf
M25PX32 NUMONYX

获取价格

 		32-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interf
M25PX32SOVMF3EA NUMONYX

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 		Flash, 4MX8, PDSO16,
M25PX32SOVMF3EBA NUMONYX

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 		Flash, 4MX8, PDSO16,
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 		Flash, 4MX8, PDSO16,
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