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M25PX16-VMN6TP PDF预览

M25PX16-VMN6TP

更新时间： 2024-11-28 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
65页 1418K
描述
16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface

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M25PX16-VMN6TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.B.1
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.5
最大时钟频率 (fCLK)：75 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.9 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：3.9 mm最长写入周期时间 (tWC)：15 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

M25PX16-VMN6TP 数据手册

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M25PX16  
16-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase,  
serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface  
Features  
„ SPI bus compatible serial interface  
„ 75 MHz (maximum) clock frequency  
„ 2.3 V to 3.6 V single supply voltage  
„ Dual input/output instructions resulting in an  
VFQFPN8 (MP)  
6 × 5 mm  
equivalent clock frequency of 150 MHz:  
– Dual Output Fast Read instruction  
– Dual Input Fast Program instruction  
„ 16 Mbit Flash memory  
– Uniform 4-Kbyte subsectors  
– Uniform 64-Kbyte sectors  
SO8W (MW)  
208 mils  
„ Additional 64-byte user-lockable, one-time  
programmable (OTP) area  
„ Erase capability  
– Subsector (4-Kbyte) granularity  
– Sector (64-Kbyte) granularity  
– Bulk Erase (16 Mbit) in 15 s (typical)  
„ Write protections  
– Software write protection applicable to  
every 64-Kbyte sector (volatile lock bit)  
SO8 (MN)  
150 mils  
– Hardware write protection: protected area  
size defined by three non-volatile bits (BP0,  
BP1 and BP2)  
„ Deep Power-down mode: 5 µA (typical)  
„ Electronic signature  
– JEDEC standard two-byte signature  
(7115h)  
– Unique ID code (UID) with16 bytes read-  
only, available upon customer request  
TBGA24 (ZM) 6x8 mm  
„ More than 100 000 write cycles per sector  
„ More than 20 year data retention  
„ Packages  
– RoHS compliant  
„ Automotive certified parts available  
March 2010  
Rev 8  
1/65  
www.numonyx.com  
1
1234567...65

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M25PX16-VMN6TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M25PX16-VMW6G MICRON

完全替代

 16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25P16-VMN6TP MICRON

类似代替

 16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface
M25P16-VMN6P MICRON

类似代替

 16Mb Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface

与M25PX16-VMN6TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M25PX16-VMN6TPBA MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25PX16-VMP6G NUMONYX

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 		EEPROM, 2MX8, Serial, CMOS, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8
M25PX16-VMP6G MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25PX16-VMP6TG MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
M25PX16-VMP6TP NUMONYX

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 		EEPROM, 2MX8, Serial, CMOS, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-8
M25PX16-VMW6G NUMONYX

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 		EEPROM, 2MX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
M25PX16-VMW6G MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
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 		Micron M25PX16 Serial Flash Embedded Memory
M25PX16-VZM6P MICRON

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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral
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 		16Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral

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